【ITBEAR科技资讯】3月17日消息，近日，据消息称，SK海力士公司的35名工程师联名提交了一份论文，阐述了他们如何攻克了300+层TLC闪存的难关。这项技术突破将进一步推动闪存芯片的发展。

SK海力士公司采用了TPGM、AUSP、PDS、APR以及PLRR等五项技术，实现了超过300层的TLC颗粒堆叠。这颗1Tb容量的TLC 3D闪存(3bit/Cell)达到了惊人的20Gb/mm2容量密度，写入速度更是狂飙到194MB/s创纪录。这一技术的突破为未来存储器技术的发展带来了更大的推动力。

据ITBEAR科技资讯了解，闪存芯片的进化方向是通过更多层地堆叠来实现更快的读写速度，同时提高单位面积的存储容量，降低存储成本。但随着层数的增加，也会出现一系列挑战，例如更高的能耗、更复杂的制造工艺、更难以维护的稳定性等。因此，SK海力士的成功是一个重要的里程碑，能够为存储器技术的未来发展带来更多的机遇和挑战。

SK海力士的300+层TLC将在2024年量产商用。这一突破将为闪存芯片制造商带来更多的技术革新和商业机遇，也将推动存储器技术的发展，为智能手机、笔记本电脑和数据中心等领域带来更高效、更快速、更可靠的存储器设备。